三位优秀青年学者来我院进行学术交流访问

作者: 时间:2013-04-28 点击数:

2013年4月25日下午,应物理科学与核能工程学院邀请,中科院上海硅酸盐研究所刘宣勇研究员、复旦大学材料系梅永丰教授、中科院上海微系统研究所狄增峰“百人计划”研究员,在主楼513大会议室分别作了专题报告,并与现场各位老师同学进行了深入的交流与讨论。

首先,刘宣勇研究员为大家做了题为“医用钛合金表面改性及其成骨和抗菌性研究”的报告。由于钛合金植入体骨再生能力差,与周围组织结合不佳;钛合金植入体表面无抗菌性能,存在术后感染风险,而植入材料表面理化特性对蛋白吸附、细胞/材料表面反应以及组织形成等生物学性能影响较大,因此通过对钛及其合金进行表面改性,提高其骨再生能力和抗菌性是近年来的研究热点。随着纳米和生物技术的发展以及表面改性技术的革新,通过复合表面改性获得兼具生物活性和抗菌性的钛合金植入体是硬组织植入体的发展方向之一。

接着梅永丰教授为大家做了题为“微纳催化驱动器研究”。通过讲述如何运用卷曲纳米技术合成微纳管状驱动器,包括材料的选择、结构的控制、外部参数控制其运动行为以及如何通过模型化计算解释其行为机理等,梅永丰教授对微纳催化驱动研究做了生动形象的阐述,并对其可能的应用方向,如理解微生物体的运动以及智能药物输送等方面做了介绍。

在短暂的休息之后,狄增峰研究员为大家做了题为“超薄高速SOI材料研究”。绝缘体上的硅(silicon on insulator, SOI),是纳米技术时代的高端硅基材料,是“新一代硅”。发展超薄SOI和具有高迁移率的SOI将是维持微电子技术沿摩尔定律持续发展的最有潜力解决方案。中国科学院上海微系统与信息技术研究所通过自主研发的Simcut技术,开发出顶层硅厚度小于20nm的8英寸超薄SOI晶圆片;通过离子辅助应力释放技术和锗浓缩技术分别开发出8英寸应变SOI晶圆片和GOI晶圆片,实现高速SOI材料,为微电子技术发展进入22nm节点技术奠定材料基础。

三位优秀的青年学者的精彩报告引起了现场师生的热烈讨论和交流,开阔了视野并鼓励大家开展交叉研究,给我院青年教师、博士后和研究生营造良好的学术交流氛围,达到了预期的效果。

最后,讲座在热烈的掌声中结束。

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